2025年9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。
HBM4采用2048条数据传输通道，相比前一代产品翻倍，将带宽扩大一倍。同时，其能效提升40%以上，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。此外，HBM4的运行速度达到10Gbps以上，大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps。
SK海力士预测，将HBM4引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，这不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。
在开发过程中，SK海力士采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR - MUF（批量回流模制底部填充）技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低了量产过程中的风险。
随着AI需求和数据处理量剧增，对高带宽存储器的需求也在激增，HBM4有望成为满足市场对高性能、高能效存储器需求的最佳解决方案。此举也彰显了SK海力士在面向AI的存储器技术领域的领导地位。
据悉，英伟达将是SK海力士HBM4的首个客户，该产品将用于英伟达2026年推出的Rubin架构数据中心GPU上。
