8月4日消息，三星宣布全球首款2nm制程手机芯片Exynos 2600将于2026年初随Galaxy S26系列正式亮相。凭借自研的2nm GAA工艺、十核心架构设计以及AI与散热技术的全面升级，三星试图在高端芯片市场重夺主动权。

Exynos 2600的核心亮点在于其采用的三星第二代3nm GAA工艺的升级版——2nm GAA技术。这一工艺通过环绕式栅极设计，实现了对电流的更精准控制，相比传统FinFET工艺，漏电率降低超30%，能效提升约24%。据供应链消息，三星计划于2025年下半年启动量产，年底前完成首批出货，确保与Galaxy S26系列的开发周期无缝衔接。

值得关注的是，三星的2nm工艺量产时间较台积电（预计2026年量产）提前近一年，而高通骁龙8 Elite 3、苹果A20系列、联发科天玑9600等竞品均依赖台积电2nm节点，发布时间或滞后至2026年下半年。这意味着Exynos 2600将拥有约半年的“独占期”，成为2026年上半年高端手机的性能标杆。

在架构设计上，Exynos 2600采用1+3+6十核心配置，兼顾单核爆发与多核并行能力：1颗超大核主频3.55GHz，基于Arm最新Travis架构（三星深度定制），单核性能较前代提升显著；3颗大核主频2.96GHz，优化多任务处理效率；6颗小核主频2.46GHz，主打低功耗场景能效。早期工程样机的跑分数据已初露锋芒：Geekbench 6单核2155分、多核7788分（非最终版本，仍有优化空间）；3DMark Steel Nomad Light GPU得分3135分，较骁龙8 Elite提升约15%，图形渲染能力跻身行业第一梯队。

为应对AI大模型对算力的需求，Exynos 2600的NPU（神经网络处理单元）性能大幅升级，支持更复杂的设备端AI任务，例如实时语音翻译、4K视频超分、智能场景优化等。三星表示，其AI算力可满足未来三年内手机端侧大模型运行需求，为语音助手、影像处理等场景提供底层支持。散热方面，三星首次在手机SoC封装中引入代号HPB（Heat Pass Block）的高导热铜合金层，置于处理器与DRAM之间，大幅提升热传导效率；结合FOWLP（扇出型晶圆级封装）技术，减少高负载场景下的频率降级与能耗损耗，确保持续高性能输出。

Exynos 2600将由Galaxy S26系列部分地区版本首发搭载，延续三星旗舰芯片与手机协同优化的传统。