2025年7月9日，JEDEC固态技术协会发布了JESD209-6，即最新的低功耗双倍数据速率6（LPDDR6）标准，旨在显著提升多种应用场景（包括移动设备和人工智能）的内存速度与效率。

性能提升：

 双子通道架构：采用双子通道架构，每颗裸片支持两个子通道，每个子通道有12个数据信号线，优化通道性能。同时保持最小访问间隔32字节，允许更灵活的操作，还支持32/64字节访问。

优化指令寻址：每个子通道包含4个指令/寻址指令，优化减少焊球数量，改进数据访问速度。

支持静态能效模式：可支持更大容量，最大化利用bank资源。

改进信号完整性：支持动态写入NT-ODT（非目标片上终止），可以根据负载需求调整ODT，改进信号完整性。

能效改进：

降低电压功耗：采用更低的电压和低功耗VDD2供电，并且规定VDD2需采用双电源供电。

交替时钟命令输入：提高性能和能效。

低功耗动态电压频率调整：在低频率运行时减少VDD2供电，从而节省功耗。

动态效率模式：采用单个子通道接口，适合低功耗、低带宽场景。

刷新功耗降低：支持部分自刷新、主动刷新，降低刷新功耗。

安全性与可靠性增强：

支持每行激活计数：支持内存数据完整性。

预留元模式：通过为关键任务分配特定内存区域，提高整体系统可靠性。

可编程链路保护机制：支持可编程链路保护机制、ECC纠错校验。

增强错误检测：支持命令/地址（CA）奇偶校验、错误擦洗、内存内置自测试（MBIST），以增强错误检测能力和系统可靠性。

 Advantest、Cadence、Synopsys、三星、SK海力士、美光、高通、联发科等半导体测试厂商、内存芯片厂商、终端厂商都表达了对LPDDR6的支持和期待。预计2025年下半年高通首发的LPDDR6内存将量产，可能会应用于骁龙8至尊二代等平台。