三星电子今天宣布展示世界上第一个基于 MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算。有关这项创新的论文于 1 月 12 日由 Nature 在线发表，并将在即将出版的 Nature 杂志上发表。这篇题为“用于内存计算的磁阻存储器件的交叉阵列”的论文展示了三星在内存技术方面的领先地位，以及它为下一代人工智能 (AI) 芯片合并内存和系统半导体的努力。

该研究由三星高级技术研究院 (SAIT) 与三星电子代工业务和半导体研发中心密切合作领导。论文第一作者SAIT研究员Seungchul Jung博士，共同通讯作者SAIT Fellow、哈佛大学教授Donhee Ham博士和SAIT技术副总裁Sang Joon Kim博士，带头进行了这项研究。

目前的计算机大都采用独立的 RAM 内存以及独立的硬盘存储，但是为了提高运算效率，业界一直在开发非易失的内存，能够兼顾硬盘和内存的功能，同时有助于大大降低功耗。

为了实现这一目标，研究人员开发了 RRAM（电阻随机存储器）、PRAM（相变随机存储器）等，已经有了原型机。三星采用的 MRAM（磁阻非易失随机存储器）具有高速、耐用、容易量产等优点，但是由于功耗问题，此前迟迟没有正式亮相。

三星电子的研究人员通过创新的架构来提供解决方案。具体来看，研究者成功开发了一种新的 MRAM 阵列，通过新型“电阻”和计算架构，替换当前采用的架构。

IT之家了解到，搭载 MRAM 内存的电脑经过 AI 运算性能测试，识别手写数字的准确度达到了 98%，人脸识别准确度达到了 93%。

研究人员表示，MRAM 芯片应用于 in-memory computing（内存内计算）电脑，十分适合进行神经网络运算等，因为这种计算架构与大脑神经元网络较为相似。