【机锋资讯】2021年8月5日下午，西部数据公司在北京召开媒体发布会，正式在国内其用于 5G 智能手机的第二代 UFS 3.1 存储解决方案——西部数据 iNANDTM MC EU551 嵌入式闪存器件。据了解，这款新产品为消费者提供了超高分辨率相机、增强现实 / 虚拟现实、游戏和 8K 视频等新兴应用所需的高性能存储。

这款 iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件是西部数据公司在北京时间 5 月 27 日的闪存大会上推出的 UFS3.1 的平台基础上的全新产品。iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件采用更高性能的 NAND、更高效的控制器和优化的固件设计。

iNAND MC EU551 型号是该品牌第二代 UFS 3.1 闪存芯片，具有 Write Booster 技术、Host Performance Booster 2.0 技术，容量覆盖 128GB-512GB，工作温度-25℃到 85℃，封装大小为 11.5×13×1.0mm。

相较上代产品，iNAND MC EU551的随机读取性能提升约 100%，随机写入性能提升约 40%，有助于支持混合工作负载体验，例如同时运行多个应用。顺序写入性能提升约 90%，有助于达到新的 5G 和 Wi-Fi 6 的下载速度，让用户在下载 8K 视频等富媒体文件时拥有更卓越的体验，并提高连拍模式等应用的性能。顺序读取性能提升约 30%，通过缩短启动时间以更快启动应用，实现更快的上传速度。

具体读写速度上，iNAND MC EU551使用了最先进的 3D NAND 闪存技术，支持 UFS 3.1 Gear 4/2 通道。产品支持 iNAND SmartSLC Gen 6 加速技术，性能远超 UFS 2.1 闪存。官方表示，这款芯片可以实现最高 1550MB/s 的顺序写入速度，明显超过现有 UFS 3.1 闪存约 760MB/s 的速度。

据悉，iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件是 iNAND 系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的 SoC 系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其 UFS 3.1 解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。

随着网络带宽的不断增加和延迟的逐渐降低，未来5G智能手机将带来全新的用户体验，西部数据 iNAND 解决方案可以很好的为这些精彩纷呈的应用提供其所需要的大容量、高性能嵌入式存储。目前，西部数据 iNAND MC EU551 UFS 3.1 嵌入式闪存器件（EFD）样品现已开始供货，容量版本有 128GB、256GB 和 512GB 三种。